Фотоэлектрический датчик в цилиндрическом корпусе VTF18-4N1240 Sick - Global Engeeniring Kazakhstan

Фотоэлектрический датчик в цилиндрическом корпусе VTF18-4N1240 Sick

Уважаемые покупатели!
Ассортимент меняется каждый день, просьба перед заказом уточняйте ЦЕНЫ, наличие и условия доставки у менеджера по телефону
+7 (777) 258-45-36

Артикул: 5be084fd6ed9 Категория:

Характеристики

Принцип датчика/ обнаружения Датчик с отражением от объекта, Энергетичекий, фокусный
Размеры (Ш x В x Г) 18 mm x 18 mm x 78 mm
Форма корпуса (выход света) Цилиндрический
Длина корпуса 78 mm
Диаметр резьбы (корпус) M18 x 1
Оптическая ось Осевая
Дистанция работы, макс. 3 mm … 100 mm 1)
Расстояние срабатывания 3 mm … 90 mm
Вид излучения Инфракрасный свет
ИСТОЧНИК ИЗЛУЧЕНИЯ Светодиод 2)
Размеры светового пятна (расстояние) Ø 3 mm (50 mm)
Настройка Потенциометр, 270° (Расстояние срабатывания)

Механика/электроника

Напряжение питания 10 V DC … 30 V DC 1)
Остаточная пульсация ± 10 % 2)
Потребление тока 30 mA 3)
Переключающий выход NPN 4)
Тип переключения СВЕТЛО/ТЕМНО 4)
Тип переключения по выбору По выбору, через кабель управления L/D
Выходной ток Iмакс. ≤ 100 mA
Оценка ≤ 2 ms 5)
Частота переключения 250 Hz 6)
Вид подключения Разъем M12, 4-конт.
Схемы защиты

7)

8)

9)

10)

Класс защиты III
Вес 120 g
Материал корпуса Металл, никелированная латунь
Материал, оптика Пластик, PMMA
Тип защиты IP67
Специальное исполнение Сфокусированная оптика
Диапазон температур при работе –25 °C … +70 °C

Как сделать заказ у нас

Оформление заказа на сайте или по телефону Полная или частичная предоплата заказа Самовывоз
Фотоэлектрический датчик в цилиндрическом корпусе VTF18-4N1240 Sick