Фотоэлектрический датчик в цилиндрическом корпусеVS18-2D5550 Sick
Характеристики
| Принцип датчика/ обнаружения | Однопроходной датчик (на пересечение луча) |
| Размеры (Ш x В x Г) | 18 mm x 18 mm x 78 mm |
| Форма корпуса (выход света) | Цилиндрический |
| Длина корпуса | 78 mm |
| Диаметр резьбы (корпус) | M18 x 1 |
| Оптическая ось | Осевая |
| Дистанция работы, макс. | 0 m … 20 m |
| Расстояние срабатывания | 0 m … 14 m |
| Вид излучения | Инфракрасный свет |
| ИСТОЧНИК ИЗЛУЧЕНИЯ | Светодиод 1) |
| Размеры светового пятна (расстояние) | Ø 700 mm (14 m) |
| Угол излучения | Ок. 2,8° |
| Настройка | Потенциометр, 270° (Чувствительность) |
Механика/электроника
| Напряжение питания | 10 V DC … 30 V DC 1) |
| Остаточная пульсация | ≤ 10 % 2) |
| Потребление тока | 30 mA 3) |
| Переключающий выход | PNP 4) |
| Тип переключения | СВЕТЛО/ТЕМНО 4) |
| Тип переключения по выбору | По выбору, через кабель управления L/D |
| Выходной ток Iмакс. | 100 mA |
| Оценка | ≤ 2 ms 5) |
| Частота переключения | 250 Hz 6) |
| Вид подключения | Разъем M12, 4-конт. |
| Схемы защиты |
A 7) B 8) C 9) D 10) |
| Класс защиты | III |
| Вес | 240 g |
| Материал корпуса | Металл, никелированная латунь |
| Тип защиты | IP67 |
| Тестовый вход, передатчик выкл. | TE после 0 В |
| Диапазон температур при работе | –25 °C … +70 °C |
Фотоэлектрический датчик в цилиндрическом корпусе VS18-2D5550 Sick
