Фотоэлектрический датчик в цилиндрическом корпусе VS/VE18-2O4550 Sick - Global Engeeniring Kazakhstan

Фотоэлектрический датчик в цилиндрическом корпусе VS/VE18-2O4550 Sick

Уважаемые покупатели!
Ассортимент меняется каждый день, просьба перед заказом уточняйте ЦЕНЫ, наличие и условия доставки у менеджера по телефону
+7 (777) 258-45-36

Артикул: 029040b95930 Категория:

Фотоэлектрический датчик в цилиндрическом корпусе VS/VE18-2O4550  Sick

Характеристики

Принцип датчика/ обнаружения Однопроходной датчик (на пересечение луча)
Размеры (Ш x В x Г) 18 mm x 18 mm x 78 mm
Форма корпуса (выход света) Цилиндрический
Длина корпуса 78 mm
Диаметр резьбы (корпус) M18 x 1
Оптическая ось Осевая
Дистанция работы, макс. 0 m … 20 m
Расстояние срабатывания 0 m … 14 m
Вид излучения Инфракрасный свет
ИСТОЧНИК ИЗЛУЧЕНИЯ Светодиод 1)
Размеры светового пятна (расстояние) Ø 700 mm (14 m)
Угол излучения Ок. 2,8°
Настройка Потенциометр, 270° (Чувствительность)

Механика/электроника

Напряжение питания 10 V DC … 30 V DC 1)
Остаточная пульсация ≤ 10 % 2)
Потребление тока 30 mA 3)
Переключающий выход PNP 4)
Тип переключения СВЕТЛО/ТЕМНО 4)
Тип переключения по выбору По выбору, через кабель управления L/D
Выходной ток Iмакс. 100 mA
Оценка ≤ 2 ms 5)
Частота переключения 250 Hz 6)
Вид подключения Разъем M12, 4-конт.
Схемы защиты

7)

8)

9)

10)

Класс защиты III
Вес 240 g
Материал корпуса Металл, никелированная латунь
Тип защиты IP67
Тестовый вход, передатчик выкл. TE после 0 В
Диапазон температур при работе –25 °C … +70 °C

 

Фотоэлектрический датчик в цилиндрическом корпусе VS/VE18-2O4550 Sick